介紹俺的EMI整改經(jīng)驗：關(guān)于晶體部份：1、晶體到MCU的兩條線不要太細，盡量短直，且這兩條線與兩個負載電容所包圍的面積要越小越好，電容地端，好單獨用較寬的走線單獨引至MCU振蕩地，不要與大面積地銅箔相連；2、晶體背面好是整片的地銅箔，不要走其它線，也不要在晶體正面上方走別的線；3、有的MCU與不適合的晶體配合，振幅過高，產(chǎn)生截頂失真，便會產(chǎn)生較強的基波及強烈的諧波輻射，這種情況需在Xout上造近MCU一端串幾十至幾百歐電阻，讓振幅峰峰值降至VCC的1/2~2/3為宜。插在線路與機架之間，不同的噪聲象瞬態(tài)響應(yīng)，為輸出濾波電容及濾波電感的函數(shù)。研發(fā)級EMI分析整改屏蔽

訊號線和接地平面之間存在訊號，輻射可以由訊號走線或者接地平面的中斷所引起，所以要注意訊號走線下方的接地平面是否完整。有效降低電路EMI的技巧：因CMOS電路在時脈轉(zhuǎn)換期間吸收的電流要高出平均流耗10mA的標準，而在時脈轉(zhuǎn)換周期之間的流耗非常低甚至為零，所以輻射限制方法是電壓和電流的峰值，不是平均值。在時脈轉(zhuǎn)換過程中從電源至晶片電源接腳額電流浪涌是一個主要的輻射源，近端位置增加旁路電容，那晶片所需的電流直接由該電容提供，避免了電流浪涌的產(chǎn)生，減少了雜訊。上海研發(fā)級EMI分析整改儀器如果兩個電路的參考電平不一致，就會產(chǎn)生功能問題，如雜訊容限和邏輯開關(guān)門限電平紊亂。

差分傳輸是一種信號傳輸?shù)募夹g(shù)，區(qū)別于傳統(tǒng)的一根信號線一根地線的單端信號傳輸，差分傳輸在這兩根線上都傳輸信號，這兩個信號的振幅相同，相位相反。在這兩根線上的傳輸?shù)男盘柧褪遣罘中盘枴Ｐ盘柦邮斩吮容^這兩個電壓的差值來判斷發(fā)送端發(fā)送的邏輯狀態(tài)。在電路板上，差分走線必須是等長、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。在EMI測試中，信號線對于電磁噪聲來說是一個很好的耦合傳播途徑，無論是外部還是內(nèi)部干擾都能通過信號線傳導至其他設(shè)備，因此信號端口濾波的好壞是影響設(shè)備EMI是否超標的一個重要因素。

不同的電源有不同的要求。真正的實際應(yīng)用中還有很多限制的，確實如此，板框?qū)е虏季值南拗?，空間的限制，EMI線路放不下，比如可控硅調(diào)光電源X電容不能太大，加太大了，燈會閃爍。有時電源不能加Y電容等。EMI整改：1、對于差模干擾超標可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量；2、對于共模干擾超標可添加共模電感,選用合理的電感量來壓制；3、也可改變整流二極管特性來處理一對快速二極管如FR107一對普通整流二極管1N4007。5M以上，以共摸干擾為主，采用壓制共摸的方法（整改建議）對于外殼接地的，在地線上用一個磁環(huán)串繞2-3圈會對10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級大電路并聯(lián)電容的大小。EMI是指電子產(chǎn)品工作會對周邊的其他電子產(chǎn)品造成干擾，與此關(guān)聯(lián)的還有EMC規(guī)范。

我們來分析一下EMI的產(chǎn)生，忽略自然干擾的影響，在電子電路系統(tǒng)中我們主要考慮是電壓瞬變和信號的回流這兩方面。對于電磁干擾的分析，可以從電磁能量外泄方面來考慮，如果器件向外泄露的能量越少，我們可以認為產(chǎn)生的電磁干擾就比較小。對于高速的數(shù)字器件來說，產(chǎn)生高頻交流信號時的電壓瞬變是產(chǎn)生電磁干擾的一個主要原因。我們知道，數(shù)字信號在開關(guān)輸出時產(chǎn)生的頻譜不是單一的，而是融合了很多高次諧波分量，這些諧波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降時間來決定，信號上升和下降速率越快，即開關(guān)頻率越高，則產(chǎn)生的能量越多。所以，如果器件在很短的時間內(nèi)完成很大的電壓瞬變，將會產(chǎn)生嚴重的電磁輻射，這個電磁能量的外泄就會造成電磁干擾問題。敏感訊號用地包住，這樣包地即提供了訊號短回流路徑，也能消除與其他相鄰訊號的干擾。上海研發(fā)級EMI分析整改儀器

在電路板上，差分走線必須是等長、等寬、緊密靠近、且在同一層面的兩根線。研發(fā)級EMI分析整改屏蔽

分析信號回流對EMI的影響，可以看到：信號和回流外部區(qū)域，由于磁場的極性相反，可以相互抵消，而中間部分是加強的，這也是對外輻射的主要來源。很明顯，我們只要縮短信號和回流之間的距離，就可以更好的抵消的電磁場，同時也能降低中間加強部分的面積，很大壓制EMI。但如果由于相鄰的參考平面上存在縫隙等非理想因素，這就導致了回流的面積增大，低電感的耦合作用減弱，將會有更多的回流通過其它途徑或者直接釋放到空中，這就會導致EMI的很大增加。研發(fā)級EMI分析整改屏蔽