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聊城MTDC55晶閘管智能模塊

來源: 發(fā)布時間:2025-04-28

    而稱之為主電極T1、T2。[15]檢測單向晶閘管:萬用表置于“R×10Ω”擋,黑表筆接控制極G,紅表筆接陰極K,測量其正向電阻,應(yīng)有較小的阻值。對調(diào)兩表筆測其反向電阻,應(yīng)比正向電阻明顯大一些。測量控制極G與陽極A之間的正、反向電阻,均應(yīng)為無窮大。這是因為G、A間為兩個PN結(jié)反向串聯(lián),不論正、反向均不應(yīng)導(dǎo)通,否則晶閘管已壞。[16]檢測雙向晶閘管:萬用表置于“R×1Ω”擋,兩表筆測量控制極G與主電極T1間的正、反向電阻,均應(yīng)為較小阻值。測量控制極G與主電極T2間的正、反向電阻,均應(yīng)為無窮大。[17]檢測單向晶閘管導(dǎo)通特性:萬用表置于“R×1Ω”擋,黑表筆接陽極A,紅表筆接陰極K,表針指示應(yīng)為無窮大。用螺絲刀等金屬物將控制極G與陽極A短接一下(短接后即斷開),表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。檢測雙向晶閘管導(dǎo)通特性:黑表筆接主電極T1,紅表筆接主電極T2,表針指示應(yīng)為無窮大。將控制極G與主電極T2短接一下,表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆處。如不符合上述情況則說明晶閘管已損壞。[18]晶閘管具有以小電流(電壓)控制大電流(電壓)的作用,并具有體積小、重量輕、功耗低、效率高、開關(guān)速度快等優(yōu)點。正高電氣銳意進取,持續(xù)創(chuàng)新為各行各業(yè)提供專業(yè)化服務(wù)。聊城MTDC55晶閘管智能模塊

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    由于晶閘管在導(dǎo)通期間,載流子充滿元件內(nèi)部,所以元件在關(guān)斷過程中,正向電壓下降到零時,內(nèi)部仍殘存著載流子。這些積蓄的載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,使積蓄載流子迅速消失,這時反向電流消失的極快,即di/dt極大。因此即使和元件串連的線路電感L很小,電感產(chǎn)生的感應(yīng)電勢L(di/dt)值仍很大,這個電勢與電源電壓串聯(lián),反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,可能導(dǎo)致晶閘管的反向擊穿。這種由于晶閘管關(guān)斷引起的過電壓,稱為關(guān)斷過電壓,其數(shù)值可達工作電壓峰值的5~6倍,所以必須采取措施。阻容吸收電路中電容器把過電壓的電磁能量變成靜電能量存貯,電阻防止電容與電感產(chǎn)生諧振、限制晶閘管開通損耗與電流上升率。這種吸收回路能晶閘管由導(dǎo)通到截止時產(chǎn)生的過電壓,有效避免晶閘管被擊穿。阻容吸收電路安裝位置要盡量靠近模塊主端子,即引線要短。比較好采用無感電阻,以取得較好的保護效果。各型號模塊對應(yīng)的電阻和電容值根據(jù)表10選取。(2)壓敏電阻吸收過電壓壓敏電阻能夠吸收由于雷擊等原因產(chǎn)生能量較大、持續(xù)時間較長的過電壓。壓敏電阻標(biāo)稱電壓(V1mA),是指壓敏電阻流過1mA電流時它兩端的電壓。壓敏電阻的選擇,主要考慮額定電壓和通流容量。聊城MTDC55晶閘管智能模塊正高電氣愿和各界朋友真誠合作一同開拓。

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    構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管圖2當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)銅,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流。因此,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門機電流Ig流入時,就會形成強烈的正反饋,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,而門極未受電壓的情況下,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài)。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),從而提高起點流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié)。

    對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。2.檢查觸發(fā)能力如圖2(a)所示,首先將表Ⅰ的黑表筆接A極,紅表筆接K極,電阻為無窮大;然后用黑表筆尖也同時接觸G極,加上正向觸發(fā)信號,表針向右偏轉(zhuǎn)到低阻值即表明GTO已經(jīng)導(dǎo)通;脫開G極,只要GTO維持通態(tài),就說明被測管具有觸發(fā)能力。3.檢查關(guān)斷能力現(xiàn)采用雙表法檢查GTO的關(guān)斷能力,如圖2(b)所示,表Ⅰ的檔位及接法保持不變。將表Ⅱ撥于R×10檔,紅表筆接G極,黑表筆接K極,施以負(fù)向觸發(fā)信號,如果表Ⅰ的指針向左擺到無窮大位置,證明GTO具有關(guān)斷能力。4.估測關(guān)斷增益βoff進行到第3步時,先不接入表Ⅱ,記下在GTO導(dǎo)通時表Ⅰ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n1;再接上表Ⅱ強迫GTO關(guān)斷,記下表Ⅱ的正向偏轉(zhuǎn)格數(shù)n2。根據(jù)讀取電流法按下式估算關(guān)斷增益:βoff=IATM/IGM≈IAT/IG=K1n1/K2n2式中K1—表Ⅰ在R×1檔的電流比例系數(shù);K2—表Ⅱ在R×10檔的電流比例系數(shù)。βoff≈10×n1/n2此式的優(yōu)點是,不需要具體計算IAT、IG之值,只要讀出二者所對應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),即可迅速估測關(guān)斷增益值。注意事項:(1)在檢查大功率GTO器件時,建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,以提高測試電壓和測試電流,使GTO可靠地導(dǎo)通。。正高電氣生產(chǎn)的產(chǎn)品質(zhì)量上乘。

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    使設(shè)備進入穩(wěn)態(tài)運行。若一次起動不成功,即自動調(diào)頻電路沒有抓住中頻電壓反饋信號,此時,它激信號便會一直掃描到比較低頻率,重復(fù)起動電路一旦檢測到它激信號進入到比較低頻段,便進行一次再起動,把它激信號再推到比較高頻率,重新掃描一次,直至起動成功,重復(fù)起動的周期約為。由CON2-1和CON2-2輸入的中頻電壓信號,經(jīng)IC1A轉(zhuǎn)換成方波信號,輸入到IC6的30角,由IC6的15P、16P輸出的逆變觸發(fā)信號。經(jīng)IC7A隔離放大后,驅(qū)動逆變觸發(fā)CMOS晶體管Q5、Q6。IC4B和IC4C構(gòu)成逆變壓控時鐘,輸入到IC6的33腳CLOK2;同時又由IC7B進行頻壓轉(zhuǎn)換后用于驅(qū)動頻率表。W6微調(diào)電位器用于設(shè)定壓控時鐘的比較高頻(即逆變它激信號的比較高頻率),W5微調(diào)電位器用于整定外接頻率表的讀數(shù)。另外,當(dāng)發(fā)生過電壓保護時,IC6內(nèi)部的過電壓保護振蕩器起振,輸出2倍于比較高逆變頻率的觸發(fā)脈沖,使逆變橋的4只晶閘管均導(dǎo)通。IC4A為起動失敗檢測器,其輸出控制IC6內(nèi)部重復(fù)起動電路。過電流保護信號經(jīng)Q3倒相后,送到IC6的20P,整流觸發(fā)脈沖:驅(qū)動“”LED批示燈亮和驅(qū)動報警繼電器。過電流觸發(fā)器動作后,只有通過復(fù)位信號或通過關(guān)機后再開機進行“上電復(fù)位”,方可再次運行。正高電氣在客戶和行業(yè)中樹立了良好的企業(yè)形象。青島MTAC450晶閘管智能模塊品牌

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晶閘管模塊的應(yīng)用方法

1、模塊的控制功能端口定義

+12V:   外接 +12V直流電源正極。

GND:   直流電源地線。

GND1:    控制信號地線,與GND 相通。

CON10V:  0~10V 控制信號輸入。

TESTE: 檢測電源,可外接 4.7K~20K電位器,取出0~10V 信號。

CON20mA:4~20mA控制信號輸入。

2、模塊的控制端口與控制線

模塊控制端接口有5腳、9腳和15腳三種形式,分別對應(yīng)于5芯、9芯、15芯的控制線。采用電壓信號的產(chǎn)品只用**腳端口,其余為空腳,采用電流信號的9腳為信號輸入,控制線的屏蔽層銅線應(yīng)焊接到直流電源地線上,連接時注意不要同其它的端子短路,以免不能正常工作或可能燒壞模塊。 聊城MTDC55晶閘管智能模塊

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